華天昆山“12英寸圓片級高密度硅基扇出型封裝技術(shù)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目榮獲首屆“金π獎(jiǎng)”
2020年3月27日，昆山市科技創(chuàng)新發(fā)展推進(jìn)會(huì)暨祖沖之攻關(guān)計(jì)劃表彰儀式舉行。
華天科技（昆山）電子有限公司的“12英寸圓片級高密度硅基扇出型封裝技術(shù)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目榮獲首屆“金π獎(jiǎng)”，也是唯一獲得金π獎(jiǎng)的項(xiàng)目。
華天昆山2015年開始扇出封裝技術(shù)開發(fā)，2018年開發(fā)成功具有自主知識產(chǎn)權(quán)的埋入硅基板扇出型封裝技術(shù)eSiFO®（embedded Silicon Fan-out）并進(jìn)入量產(chǎn)。與使用模塑料塑封不同，eSiFO®使用硅基板為載體，通過在硅基板上刻蝕凹槽，將芯片正面向上放置且固定于凹槽內(nèi)，芯片表面和硅圓片表面構(gòu)成了一個(gè)扇出面，在這個(gè)面上進(jìn)行多層布線，并制作引出端焊球，最后切割，分離、封裝。
eSiFO®技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn)：
可以實(shí)現(xiàn)多芯片系統(tǒng)集成SiP，易于實(shí)現(xiàn)芯片異質(zhì)集成；
滿足超薄和超小芯片封裝要求；
與標(biāo)準(zhǔn)晶圓級封裝兼容性好，無污染；
良好的散熱性和電性；
可以在有源晶圓上集成；
工藝簡單，翹曲小，無塑封/臨時(shí)鍵合/拆鍵合；
封裝靈活：WLP/BGA/LGA/QFP等；
與TSV技術(shù)結(jié)合可實(shí)現(xiàn)高密度三維集成。
由于技術(shù)的創(chuàng)新型和巨大應(yīng)用潛力，2018年3月獲評集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟創(chuàng)新獎(jiǎng)。
該技術(shù)目前有三個(gè)主要應(yīng)用領(lǐng)域，多芯片系統(tǒng)級封裝，5G毫米波射頻以及三維扇出堆疊。在5G射頻領(lǐng)域，其中多芯片堆疊產(chǎn)品包括4G 射頻前端，毫米波芯片。2018年11月，華天科技與微遠(yuǎn)芯發(fā)布新聞，成功完成40GHz毫米波eSiFO®封裝技術(shù)開發(fā)，性能優(yōu)異。
2018年華天昆山進(jìn)一步開發(fā)了基于硅基板的三維扇出技術(shù)，值得一體的是埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)已獲得國家發(fā)明專利授權(quán)（授權(quán)號CN105575913B）。該技術(shù)的特點(diǎn)是利用TSV作為垂直互聯(lián)，互連密度可以大大高于目前的臺積電InFO技術(shù)。
eSiFO®封裝技術(shù)為后摩爾時(shí)代高性能芯片集成封裝提供了新的解決方案，隨著產(chǎn)品應(yīng)用的不斷豐富，必將推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的技術(shù)發(fā)展。
（來源：芯思想）