SK海力士導(dǎo)入高數(shù)值孔徑光刻機(jī)
9月3日，SK海力士宣布，其位于韓國利川的M16工廠引入量產(chǎn)型高數(shù)值孔徑極紫外曝光機(jī)（High NA EUV），并舉行設(shè)備入廠慶祝儀式。
SK海力士自2021年首次在第四代10納米級（1a）DRAM中引入EUV技術(shù)以來，持續(xù)將EUV應(yīng)用擴(kuò)展至先進(jìn)DRAM制造領(lǐng)域。
相較于現(xiàn)有EUV設(shè)備，其精密度和集成度可分別提升1.7倍和2.9倍，確保下一代半導(dǎo)體存儲器的量產(chǎn)競爭力此次引進(jìn)的設(shè)備為荷蘭ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量產(chǎn)型High-NA EUV設(shè)備。與現(xiàn)有的EUV設(shè)備（NA 0.33）相比，其光學(xué)性能（NA 0.55）提升了40%，這一改進(jìn)使其能夠制作出精密度高達(dá)1.7倍的電路圖案，并將集成度提升2.9倍。
SK海力士計劃通過引進(jìn)該設(shè)備，簡化現(xiàn)有的EUV工藝，并加快下一代半導(dǎo)體存儲器的研發(fā)進(jìn)程，從而確保在產(chǎn)品性能和成本方面的競爭力，鞏固其在高附加值存儲器市場中的地位，并進(jìn)一步夯實技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力。
（JSSIA整理）