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第三代半導(dǎo)體
 
晶盛機(jī)電12英寸SiC中試線通線
 2025-9-28
 

9月26日,根據(jù)晶盛機(jī)電消息,其子公司浙江晶瑞SuperSiC首條12英寸碳化硅襯底加工中試線正式通線。

 

相較8英寸產(chǎn)品,12英寸SiC襯底單片晶圓產(chǎn)出量提升約2.5倍,可顯著降低長晶、加工和拋光等環(huán)節(jié)的單位成本,被視為推動下游應(yīng)用降本增效的重要路徑。

 

晶盛機(jī)電表示,此次貫通的中試線覆蓋晶體加工、切割、減薄、倒角、研磨、拋光、清洗及檢測全流程工藝,所有環(huán)節(jié)均采用國產(chǎn)設(shè)備與自主技術(shù)。其中,高精密減薄機(jī)、倒角機(jī)、雙面精密研磨機(jī)等核心設(shè)備均由公司多年研發(fā)攻關(guān)完成。

 

(JSSIA整理)