陜西光電子先導(dǎo)院8英寸先進硅光集成技術(shù)創(chuàng)新平臺通線
11月4日，陜西光電子先導(dǎo)院建設(shè)的“8英寸先進硅光集成技術(shù)創(chuàng)新平臺”宣告通線。
該中試線總投資7.5億元，于2023年底啟動建設(shè)，至2025年9月末已完成全部場地及硬件設(shè)施建設(shè)，引進了比利時IMEC“130nm硅光芯片工藝包”，并引入了光刻、刻蝕等60余臺（套）關(guān)鍵核心設(shè)備，已在130nm有源集成硅光主工藝平臺基礎(chǔ)上，開發(fā)90nm以上先進工藝。
陜西光電子先導(dǎo)院總經(jīng)理楊軍紅表示，8英寸硅光平臺預(yù)計將于2026年完成有源產(chǎn)品通線，包含高性能調(diào)制器、探測器等核心器件，將加速可應(yīng)用于人工智能、光通信、光計算、智能駕駛、低空飛行、醫(yī)療健康等領(lǐng)域的產(chǎn)品迭代進程。
（JSSIA整理）